2.1.- Memorias no volátiles:

Son un tipo de memoria que no necesita energía para perdurar. Algunos dispositivos de esta categoría son:

·        Memoria EPROM: 

Son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante" , una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas.

Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen.  

·         Memoria EEPROM o E²PROM :

 Son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrada eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.

Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.

Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.

                                                                    

·  Memoria  MRAM:

La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias.

Los datos se almacenan por medio de elementos de almacenamiento magnético. Los elementos están formados por dos discos ferromagnéticos, cada uno de los cuales puede mantener un campo magnético, separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos discos se sitúa en un imán permanente con una polaridad dada; el otro variará para adecuarse al de un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de memoria.

·         La memoria flash:

 Derivada de la memoria EEPROM, permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.

Algunas de sus ventajas son una gran resistencia a los golpes, gran velocidad, bajo consumo de energía y un funcionamiento silencioso, ya que no contiene actuadores mecánicos ni partes móviles. Su pequeño tamaño también es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo portátil, así como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que está orientado.

·         Memoria PRAM:

Utiliza vidrio calcógeno (anfígeno) que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de un grupo de nuevas tecnologías de memoria que buscan competir con la memoria Flash en el campo de las memorias no volátiles supliendo las carencias de ésta.

Stanford Ovshinsky (Energy Conversion Devices) exploró las propiedades del vidrio calcógeno y su potencial de almacenamiento en los años 60. En el número de septiembre de 1970 de Electronics, Gordon Moore (cofundador de Intel) publicó un artículo acerca de esta tecnología, aunque la calidad de los materiales y los problemas de consumo evitaron su comercialización. El interés ha resurgido recientemente con los problemas previsibles de escalado de las memorias Flash y DRAM.

Los dos estados del vidrio calcógeno poseen una resistividad extremadamente diferente, que conforma la base del almacenamiento de información. El estado amorfo posee una gran resistencia y se utiliza para representar el cero binario, mientras que el estado cristalino de baja resistencia representa al uno. El calcógeno es el mismo material que se utiliza en dispositivos ópticos regrabables (como CD-RW y DVD-RW). En estos casos lo que se manipula son las propiedades ópticas en lugar de la resistividad, ya que el índice de refracción del calcógeno también varía según el estado.